SI7121DN 晶体管

深圳市明佳达电子出售SI7121DN  晶体管、


产品参数：
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1960pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（-大值） 3.7W（Ta），52W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（-大值） 18 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8