IRF3415STRL IRF3415 晶体管

深圳市明佳达电子供应IRF3415STRL IRF3415  晶体管。


产品参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 200nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（-大值） 3.8W（Ta），200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（-大值） 42 毫欧 @ 22A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB